首页 > 商品目录 > > > > R6035VNX3C16代替型号比较

R6035VNX3C16  与  IPP60R099P6XKSA1  区别

型号 R6035VNX3C16 IPP60R099P6XKSA1
唯样编号 A-R6035VNX3C16 A-IPP60R099P6XKSA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 600V 35A TO-220AB, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 278W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 0.095Ω@15V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 347W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3330pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
连续漏极电流Id 35A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 1.21mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 70nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 99 毫欧 @ 14.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 37.9A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6035VNX3C16 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB N-Channel ±30V 600V 35A 0.095Ω@15V 347W

暂无价格 0 当前型号
IPP60R099P6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R099P6XKSA1_600V 37.9A 89mΩ 20V 278W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IPP60R099P6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R099P6_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPP60R125C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R125C6XKSA1_-55°C~150°C(TJ) 600V 30A 125mΩ 20V 219W N-Channel

暂无价格 0 对比
IPP60R125C6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R125C6_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
FCP104N60F ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

37A(Tc) ±20V 357W(Tc) 104m Ohms@18.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220 N-Channel 600V 37A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售