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R6030ENX  与  IPA60R120C7XKSA1  区别

型号 R6030ENX IPA60R120C7XKSA1
唯样编号 A-R6030ENX A-IPA60R120C7XKSA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 600V, 30A, 0.13 OHM, TO-220FP MOSFET N-CH 600V 11A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 32W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 130mΩ@14.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1500pF @ 400V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220FM TO-220-3 整包
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 30A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 390uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC @ 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2100pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 85nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 120 毫欧 @ 7.8A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 11A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
110+ :  ¥31.1946
500+ :  ¥19.7774
暂无价格
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R6030ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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