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R6024KNX  与  IPA60R190P6  区别

型号 R6024KNX IPA60R190P6
唯样编号 A-R6024KNX A-IPA60R190P6
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 165mΩ@11.3A,10V 190Ω
上升时间 - 8ns
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 74W(Tc) 34W
Qg-栅极电荷 - 37nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 - 45ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id 24A(Tc) 20.2A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSP6
长度 - 10.65mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 7ns
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
高度 - 16.15mm
库存与单价
库存 0 500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6024KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 24A(Tc) ±20V 74W(Tc) 165mΩ@11.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
STF24NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 30W(Tc) 190mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 17A

暂无价格 60,000 对比
STF24N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 30W(Tc) 190mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 18A

暂无价格 30,000 对比
STF26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 35W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 20A

暂无价格 10,000 对比
STF24N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 30W(Tc) 190mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 18A

¥4.455 

阶梯数 价格
20: ¥4.455
100: ¥3.553
1,000: ¥3.41
6,151 对比
IPA60R190P6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R190P6XKSA1_600V 20.2A 190Ω 20V 34W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 500 对比

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