首页 > 商品目录 > > > > R6024ENZ4C13代替型号比较

R6024ENZ4C13  与  R6024ENZ1C9  区别

型号 R6024ENZ4C13 R6024ENZ1C9
唯样编号 A-R6024ENZ4C13 A33-R6024ENZ1C9
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 600V 24A TO-247, Low-noise Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 165mΩ@11.3A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 120W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
连续漏极电流Id - 24A(Tc)
工作温度 - 150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1650pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 70nC @ 10V
库存与单价
库存 0 30
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
9+ :  ¥17.3059
10+ :  ¥16.8363
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6024ENZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
R6024ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 24A(Tc) ±20V 120W(Tc) 165mΩ@11.3A,10V 150°C(TJ) TO-247-3

¥17.3059 

阶梯数 价格
9: ¥17.3059
10: ¥16.8363
30 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售