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R6024ENJTL  与  SPB20N60S5  区别

型号 R6024ENJTL SPB20N60S5
唯样编号 A-R6024ENJTL A-SPB20N60S5
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 150mΩ 190mΩ
上升时间 50ns 25ns
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 245W 208W
Qg-栅极电荷 70nC -
栅极电压Vgs 2V 20V
典型关闭延迟时间 180ns 140ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB -
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 24A 20A
系列 SuperJunction-MOSEN CoolMOSS5
通道数量 1Channel 1Channel
配置 Single Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 50ns 30ns
典型接通延迟时间 35ns 120ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6024ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 24A 245W 150mΩ 600V 2V

暂无价格 0 当前型号
STB20N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 27,000 对比
AOB20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

±30V 199mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 600V 20A TO263 266W

暂无价格 0 对比
SPB20N60S5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB20N60S5ATMA1_600V 20A 190mΩ 20V 208W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
STB25NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
STB20N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

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