R6020ENJTL 与 AOB27S60L 区别
| 型号 | R6020ENJTL | AOB27S60L | ||||||
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| 唯样编号 | A-R6020ENJTL | A-AOB27S60L | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Crss(pF) | - | 2.3 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 196mΩ@9.5A,10V | 160mΩ@10V | ||||||
| ESD Diode | - | No | ||||||
| Qgd(nC) | - | 8.8 | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 30V | ||||||
| Td(on)(ns) | - | 31 | ||||||
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | TO-263 | ||||||
| 连续漏极电流Id | 20A(Tc) | 27A | ||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - | ||||||
| Ciss(pF) | - | 1294 | ||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | - | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA | - | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1400pF @ 25V | - | ||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||
| Trr(ns) | - | 440 | ||||||
| Td(off)(ns) | - | 99 | ||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 40W(Tc) | 357W | ||||||
| Qrr(nC) | - | 7500 | ||||||
| VGS(th) | - | 4 | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 60nC @ 10V | - | ||||||
| Coss(pF) | - | 80 | ||||||
| Qg*(nC) | - | 26* | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 100 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价(含税) |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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R6020ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 40W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
¥35.2095
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100 | 当前型号 | ||||||||
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STB23NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||
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STB27NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||
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STB28NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||||
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AOB20S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 199mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 600V 20A TO263 266W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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AOB27S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 600V 30V 27A 357W 160mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |