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R6018VNXC7G  与  IPA60R210CFD7  区别

型号 R6018VNXC7G IPA60R210CFD7
唯样编号 A-R6018VNXC7G A-IPA60R210CFD7
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 600V 10A TO-220FM, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 0.17Ω@15V 210mΩ
漏源极电压Vds 600V 600V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 61W -
栅极电压Vgs ±30V 3.5V,4.5V
Special Features - fast recovery diode
FET类型 N-Channel N-Channel
Pin Count - 3.0 Pins
封装/外壳 TO-220FM TO-220 FullPAK
Mounting - THT
连续漏极电流Id 10A 7A
工作温度 - -55°C~150°C
QG (typ @10V) - 23.0 nC
Ptot max - 25.0 W
IDpuls max - 42.0 A
Budgetary Price €€/1k - 0.94
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6018VNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W

暂无价格 0 当前型号
IPAN60R210PFD7S Infineon 功率MOSFET

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TO-220FP

暂无价格 0 对比
IPA60R210CFD7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R210CFD7XKSA1_7A TO-220 FullPAK -55°C~150°C N-Channel 600V 210mΩ 3.5V,4.5V

暂无价格 0 对比
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TO-220FP-3

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