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R6011KNX  与  FCPF11N60  区别

型号 R6011KNX FCPF11N60
唯样编号 A-R6011KNX A-FCPF11N60
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 36 W 52 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220F
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 390mΩ@3.8A,10V -
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 53W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220F-3
连续漏极电流Id 11A(Tc) 11A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
110+ :  ¥11.9077
500+ :  ¥7.5495
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