首页 > 商品目录 > > > > R6011KNJTL代替型号比较

R6011KNJTL  与  AOB11S60L  区别

型号 R6011KNJTL AOB11S60L
唯样编号 A-R6011KNJTL A-AOB11S60L
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 1.42
Rds On(Max)@Id,Vgs 390mΩ@3.8A,10V 399mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 3.8
栅极电压Vgs ±20V 30V
Td(on)(ns) - 20
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO-263
连续漏极电流Id 11A(Tc) 11A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 545
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 250
Td(off)(ns) - 59
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 124W(Tc) 178W
Qrr(nC) - 3300
VGS(th) - 4.1
FET类型 - N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V -
Coss(pF) - 37.3
Qg*(nC) - 11*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6011KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

600V 11A(Tc) ±20V 124W(Tc) 390mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
STB15N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥12.6522 

阶梯数 价格
4: ¥12.6522
1,000: ¥12.3057
2,850 对比
STB15N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
STB15N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
STB15N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
AOB11S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 600V 30V 11A 178W 399mΩ@10V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售