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R6011ENX  与  TK14A65W5,S5X  区别

型号 R6011ENX TK14A65W5,S5X
唯样编号 A-R6011ENX A-TK14A65W5,S5X
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 390mΩ@3.8A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V 650 V
Pd-功率耗散(Max) 40W 40W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 300 毫欧 @ 6.9A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1300 pF @ 300 V
Vgs(th) - 4.5V @ 690uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 40 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220SIS
连续漏极电流Id 11A 13.7A(Ta)
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 670pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V -
库存与单价
库存 486 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥20.7047
100+ :  ¥11.0563
500+ :  ¥7.9937
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6011ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 11A ±20V 40W 390mΩ@3.8A,10V 150°C(TJ) TO-220-3

¥20.7047 

阶梯数 价格
1: ¥20.7047
100: ¥11.0563
500: ¥7.9937
486 当前型号
STF13NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 25W(Tc) 360mΩ@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 11A

暂无价格 8,000 对比
STF13NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 25W(Tc) 360mΩ@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 11A

¥3.63 

阶梯数 价格
20: ¥3.63
100: ¥2.904
1,000: ¥2.772
2,243 对比
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TO-220FP-3

暂无价格 1,000 对比
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暂无价格 0 对比
TK14A65W5,S5X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 40W(Tc) TO-220SIS 150°C(TJ) 650 V 13.7A(Ta)

暂无价格 0 对比

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