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R6009KNJTL  与  STB11NM60T4  区别

型号 R6009KNJTL STB11NM60T4
唯样编号 A-R6009KNJTL A3-STB11NM60T4
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO-263-3
连续漏极电流Id 9A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 535mΩ@2.8A,10V -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 94W(Tc) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16.5nC @ 10V -
栅极电压Vgs ±20V -
库存与单价
库存 0 6,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6009KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

600V 9A(Tc) ±20V 94W(Tc) 535mΩ@2.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
STB11NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 6,000 对比
STB11NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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IPB60R600C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R600C6ATMA1_-55°C~150°C(TJ) 600V 7.3A 540mΩ 20V 63W N-Channel

暂无价格 0 对比
SPB07N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB07N60C3ATMA1_-55°C~150°C(TJ) 600V 7.3A 600mΩ 20V 83W N-Channel

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AOB7S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

7A(Tc) N-Channel ±30V 600 mΩ @ 3.5A,10V TO-263(D?Pak) 104W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 600V

暂无价格 0 对比

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