首页 > 商品目录 > > > > R6009ENX代替型号比较

R6009ENX  与  AOTF12N60  区别

型号 R6009ENX AOTF12N60
唯样编号 A-R6009ENX A-AOTF12N60
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 13
Rds On(Max)@Id,Vgs 535mΩ@2.8A,10V 550mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 17.9
栅极电压Vgs ±20V 30V
Td(on)(ns) - 39
封装/外壳 TO-220-3 TO-220F
连续漏极电流Id 9A(Tc) 12A
工作温度 150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 1751
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 311
Td(off)(ns) - 122
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) 50W
Qrr(nC) - 5200
VGS(th) - 4.5
FET类型 N-Channel N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V -
Coss(pF) - 164
Qg*(nC) - 40*
库存与单价
库存 68 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥19.3339
100+ :  ¥11.175
500+ :  ¥7.085
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6009ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥19.3339 

阶梯数 价格
1: ¥19.3339
100: ¥11.175
500: ¥7.085
68 当前型号
STF13N65M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

¥3.531 

阶梯数 价格
20: ¥3.531
20 对比
AOTF7S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3F

暂无价格 0 对比
AOTF12N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F

暂无价格 0 对比
STF13N65M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 0 对比
SPA07N60C3XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPA07N60C3_TO-220-3整包

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售