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R6007RND3TL1  与  IPD60R1K0PFD7S  区别

型号 R6007RND3TL1 IPD60R1K0PFD7S
唯样编号 A-R6007RND3TL1 A-IPD60R1K0PFD7S
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 600V 7A TO-252, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.8A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 0.05mA 漏源导通电阻:1Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):26W(Tc) 类型:N沟道
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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