首页 > 商品目录 > > > > R6007ENJTL代替型号比较

R6007ENJTL  与  AOB12N65L  区别

型号 R6007ENJTL AOB12N65L
唯样编号 A-R6007ENJTL A-AOB12N65L
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 11.5
Rds On(Max)@Id,Vgs 620mΩ@2.4A,10V 720mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 16.8
栅极电压Vgs ±20V 30V
Td(on)(ns) - 36
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO-263
连续漏极电流Id 7A(Tc) 12A
工作温度 150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 1792
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 390pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 375
Td(off)(ns) - 120
漏源极电压Vds 600V 650V
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) 278W
Qrr(nC) - 7500
VGS(th) - 4.5
FET类型 N-Channel N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V -
Coss(pF) - 152
Qg*(nC) - 39.8
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6007ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
STB11NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
AOB7S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263(D?Pak)

暂无价格 0 对比
SPB07N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB07N60C3ATMA1_10mm

暂无价格 0 对比
STB11NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
AOB12N65L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售