R6004ENJTL 与 AOB9N70L 区别
| 型号 | R6004ENJTL | AOB9N70L | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-R6004ENJTL | A-AOB9N70L | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | ||||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Crss(pF) | - | 7.4 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 900mΩ@1.5A,10V | 1200mΩ@10V | ||
| 上升时间 | 22ns | - | ||
| ESD Diode | - | No | ||
| Qg-栅极电荷 | 15nC | - | ||
| Qgd(nC) | - | 11.6 | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 30V | ||
| Td(on)(ns) | - | 35 | ||
| 封装/外壳 | TO-263-3 | TO-263 | ||
| 连续漏极电流Id | 4A | 9A | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||
| 配置 | Single | - | ||
| Ciss(pF) | - | 1357 | ||
| 下降时间 | 40ns | - | ||
| Schottky Diode | - | No | ||
| Trr(ns) | - | 375 | ||
| Td(off)(ns) | - | 76 | ||
| 漏源极电压Vds | 600V | 700V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 58W | 236W | ||
| Qrr(nC) | - | 7500 | ||
| VGS(th) | - | 4.5 | ||
| 典型关闭延迟时间 | 55ns | - | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 系列 | SuperJunction-MOSEN | - | ||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||
| 典型接通延迟时间 | 22ns | - | ||
| Coss(pF) | - | 113 | ||
| Qg*(nC) | - | 28.5* | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6004ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
4A 58W 900mΩ@1.5A,10V 600V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C N-Channel |
￥4.3805
|
0 | 当前型号 | ||||||
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STB6N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 13,000 | 对比 | ||||||
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STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥5.148
|
788 | 对比 | ||||||
|
|
STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
AOB9N70L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 700V 30V 9A 236W 1200mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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