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R6004ENDTL  与  DMJ7N70SK3-13  区别

型号 R6004ENDTL DMJ7N70SK3-13
唯样编号 A-R6004ENDTL A3-DMJ7N70SK3-13
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 20W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.25Ω@2.5A,10V
漏源极电压Vds - 700V
Pd-功率耗散(Max) - 28W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 CPT3 DPAK
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 3.9A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 351pF @ 50V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 980 毫欧 @ 1.5A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13.9nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 4A(Tc) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 600V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6004ENDTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

暂无价格 0 当前型号
DMJ7N70SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±30V 28W(Tc) 1.25Ω@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 3.9A

暂无价格 0 对比
IPD80R1K2P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD80R1K2P7ATMA1_DPAK (TO-252) 4.5A N-Channel 800V -55°C~150°C 2.5V,3.5V 1200mΩ

暂无价格 0 对比
DMJ7N70SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±30V 28W(Tc) 1.25Ω@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 3.9A

暂无价格 0 对比
IPU60R1K0CEBKMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOD4S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 600V 30V 4A 56.8W 900mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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