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R5009FNX  与  TK9A55DA(STA4,Q,M)  区别

型号 R5009FNX TK9A55DA(STA4,Q,M)
唯样编号 A-R5009FNX A-TK9A55DA(STA4,Q,M)
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 500V 9A TO220FM MOSFET N-CH 550V 8.5A TO220SIS
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 50W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 550 V
Pd-功率耗散(Max) - 40W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 860 毫欧 @ 4.3A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 630pF @ 25V 1050 pF @ 25 V
Vgs(th) - 4V @ 1mA
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 20 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220FM TO-220SIS
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 8.5A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 840 毫欧 @ 4.5A,10V -
Vgs(最大值) ±30V ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 9A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 500V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R5009FNX ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 TO-220FM

暂无价格 0 当前型号
STF8NM50N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 2,000 对比
STF8NM50N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 0 对比
STF8NM50N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 0 对比
TK9A55DA(STA4,Q,M) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 40W(Tc) TO-220SIS 150°C(TJ) 550 V 8.5A(Ta)

暂无价格 0 对比

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