PXP6R7-30QLJ 与 SI7625DN-T1-GE3 区别
| 型号 | PXP6R7-30QLJ | SI7625DN-T1-GE3 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-PXP6R7-30QLJ | A36-SI7625DN-T1-GE3 | ||||||||||
| 制造商 | Nexperia | Vishay | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | PXP6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33 | P-Channel 30 V 7 mO 5126 nC Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 3.7W(Ta),52W(Tc) | ||||||||||
| 功率耗散(最大值) | 1.8W(Ta),50W(Tc) | - | ||||||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 4400 pF @ 15 V | - | ||||||||||
| Vgs(th) | - | 2.5V @ 250uA | ||||||||||
| FET类型 | P 通道 | P-Channel | ||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 133 nC @ 10 V | - | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT8002 | PowerPAK® 1212-8 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250uA | - | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 35A(Tc) | ||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 6.7 毫欧 @ 12.6A,10V | - | ||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | ±20V | ||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | - | ||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 12.6A(Ta),66.6A(Tc) | - | ||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | 30 V | - | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 7 mOhms @ 15A,10V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 3,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PXP6R7-30QLJ | Nexperia | 通用MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) P 通道 SOT8002 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||
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SI7625DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
35A(Tc) P-Channel 7 mOhms @ 15A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V |
￥6.036
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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SI7625DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
35A(Tc) P-Channel 7 mOhms @ 15A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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