PXN012-100QSJ 与 SISS46DN-T1-GE3 区别
| 型号 | PXN012-100QSJ | SISS46DN-T1-GE3 | ||
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| 唯样编号 | A-PXN012-100QSJ | A3t-SISS46DN-T1-GE3 | ||
| 制造商 | Nexperia | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | PXN012-100QS/SOT8002/MLPAK33 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | - | 5W(Ta),65.7W(Tc) | ||
| 功率耗散(最大值) | 58W | - | ||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||
| Vgs(th) | - | 3.4V @ 250uA | ||
| FET类型 | N 通道 | N-Channel | ||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 22 nC @ 10 V | - | ||
| 封装/外壳 | SOT8002 | PowerPAK® 1212-8S | ||
| 连续漏极电流Id | - | 12.5A(Ta),45.3A(Tc) | ||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - | ||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 50A | - | ||
| 漏源电压(Vdss) | 100 V | - | ||
| 导通电阻Rds(On) | - | 12.8 mOhms @ 10A,10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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PXN012-100QSJ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT8002 N 通道 |
￥2.509
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0 | 当前型号 | ||||
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SISS46DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
12.5A(Ta),45.3A(Tc) N-Channel 12.8 mOhms @ 10A,10V 5W(Ta),65.7W(Tc) PowerPAK® 1212-8S -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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