首页 > 商品目录 > > > > PUMH17,115代替型号比较

PUMH17,115  与  MUN5212DW1T1G  区别

型号 PUMH17,115 MUN5212DW1T1G
唯样编号 A-PUMH17,115 A-MUN5212DW1T1G
制造商 Nexperia ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 达林顿晶体管
描述 PUMH17 Series 50 V 100 mA SMT NPN/NPN Resistor-Equipped Transistor - SOT-363
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
电流 - 集电极截止(最大值) - 500nA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) - 60 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
电压 - 集射极击穿(最大值) - 50V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 100mA
封装/外壳 SOT-363 SC-88
VCBO 50V -
工作温度 -65℃~150℃ -
VEBO 10V -
晶体管类型 NPN/NPN -
功率耗散Pd 300mW -
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) - 22k
集电极-射极饱和电压 150mV -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
FET类型 - NPN
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 60 @ 5mA,10V
集电极_发射极击穿电压VCEO - 50V
尺寸 2.1*1.25*0.95 -
集电极连续电流 100mA -
集电极最大允许电流Ic - 100mA
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) - 22k
直流电流增益hFE 60 -
集电极-发射极最大电压VCEO 50V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
560+ :  ¥0.2481
1,000+ :  ¥0.1938
1,500+ :  ¥0.1589
3,000+ :  ¥0.1381
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PUMH17,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMH17_SOT-363 300mW NPN/NPN 50V 100mA 150mV 60

¥0.2481 

阶梯数 价格
560: ¥0.2481
1,000: ¥0.1938
1,500: ¥0.1589
3,000: ¥0.1381
0 当前型号
MUN5212DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

¥0.6292 

阶梯数 价格
80: ¥0.6292
200: ¥0.4056
1,500: ¥0.3523
3,000: ¥0.312
3,092 对比
MUN5212DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

暂无价格 0 对比
MUN5212DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售