PUMD3,135 与 UMD3NFHATR 区别
| 型号 | PUMD3,135 | UMD3NFHATR | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A-PUMD3,135 | A32-UMD3NFHATR-2 | ||||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||
| 描述 | PUMD3 Series 50 V 100 mA NPN/PNP Resistor-Equipped Transistor - TSSOP-6 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| R2 | - | 10K/10K Ohms | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 300mW | 150mW | ||||||||||||
| 特征频率fT | 230MHz,180MHz | 250MHz,250MHz | ||||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 150mV | 300mV,-300mV | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||||||||||
| VCBO | 50V | - | ||||||||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||||
| 集电极电流Ic | 100mA | 100mA,-100mA | ||||||||||||
| VEBO | 10V | - | ||||||||||||
| 尺寸 | 2.1*1.25*0.95 | - | ||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 50V | 50V,-50V | ||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 30 | 30,30 | ||||||||||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN+PNP | ||||||||||||
| R1 | - | 10K/10K Ohms | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 0 | 8,780 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PUMD3,135 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA NPN+PNP |
￥0.2365
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0 | 当前型号 | ||||||||||||
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UMD3NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥0.5392
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189,984 | 对比 | ||||||||||||
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DCX114YU-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
200mW 50V 100mA NPN+PNP SOT-363 |
暂无价格 | 30,000 | 对比 | ||||||||||||
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UMD3NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥0.1812
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15,000 | 对比 | ||||||||||||
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UMD3NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥1.2826
|
9,000 | 对比 | ||||||||||||
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UMD3NFHATR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA 车规 NPN+PNP |
￥1.4251
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8,780 | 对比 |
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