PUMD16,115 与 MUN5212DW1T1G 区别
| 型号 | PUMD16,115 | MUN5212DW1T1G | ||||||||
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| 唯样编号 | A-PUMD16,115 | A36-MUN5212DW1T1G-1 | ||||||||
| 制造商 | Nexperia | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | 达林顿晶体管 | ||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 电流-集电极截止（最大值） | - | 500nA | ||||||||
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - | 500nA | ||||||||
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | - | 60 @ 5mA,10V | ||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | - | 250mV @ 300µA,10mA | ||||||||
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | - | 50V | ||||||||
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | - | 100mA | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SC-88 | ||||||||
| VCBO | 50V | - | ||||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | - | ||||||||
| VEBO | 5V | - | ||||||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | - | ||||||||
| 功率耗散Pd | 300mW | - | ||||||||
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆） | - | 22k | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 150mV | - | ||||||||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - | 250mV @ 300µA,10mA | ||||||||
| FET类型 | - | NPN | ||||||||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | - | 60 @ 5mA,10V | ||||||||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 50V | ||||||||
| 尺寸 | 2.1*1.25*0.95 | - | ||||||||
| 集电极连续电流 | 100mA | - | ||||||||
| 集电极最大允许电流Ic | - | 100mA | ||||||||
| 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） | - | 22k | ||||||||
| 直流电流增益hFE | 80 | - | ||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 50V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 15,000 | 3,051 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PUMD16,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA 150mV 80 车规 NPN+PNP |
暂无价格 | 15,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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DCX124EUQ-13-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
车规 |
￥0.4056
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20,000 | 对比 | ||||||||||||
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DCX124EUQ-13R-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
车规 |
￥0.4862
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9,969 | 对比 | ||||||||||||
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UMD22NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA 300mV,-300mV 80,80 250MHz,250MHz NPN+PNP |
暂无价格 | 9,400 | 对比 | ||||||||||||
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MUN5212DW1T1G | ON Semiconductor | 达林顿晶体管 |
￥0.3912
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3,051 | 对比 | ||||||||||||||
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UMD22NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA 300mV,-300mV 80,80 250MHz,250MHz NPN+PNP |
￥1.8974
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3,000 | 对比 |
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