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PSMN9R5-100BS,118  与  STB120NF10T4  区别

型号 PSMN9R5-100BS,118 STB120NF10T4
唯样编号 A-PSMN9R5-100BS,118 A36-STB120NF10T4
制造商 Nexperia STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK N-Channel 100 V 0.0105 Ohm Surface Mount STripFET™ II MosFet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 10.5m Ohms@60A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 211W 312W(Tc)
输出电容 302pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 89A 110A
系列 - STripFET™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 4454pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5200pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 233nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 9.6mΩ@10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
210+ :  ¥8.9212
400+ :  ¥7.5603
800+ :  ¥6.9361
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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