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PSMN9R5-100BS,118  与  IPB80N03S4L-03  区别

型号 PSMN9R5-100BS,118 IPB80N03S4L-03
唯样编号 A-PSMN9R5-100BS,118 A-IPB80N03S4L-03
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2mΩ
上升时间 - 9ns
漏源极电压Vds 100V 30V
Pd-功率耗散(Max) 211W 136W
Qg-栅极电荷 - 140nC
输出电容 302pF -
栅极电压Vgs 3V 16V
典型关闭延迟时间 - 62ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C
连续漏极电流Id 89A 80A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS-T2
输入电容 4454pF -
长度 - 10mm
Rds On(max)@Id,Vgs 9.6mΩ@10V -
下降时间 - 13ns
典型接通延迟时间 - 14ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥8.9212
400+ :  ¥7.5603
800+ :  ¥6.9361
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN9R5-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN9R5-100BS_SOT404 N-Channel 211W 175℃ 3V 100V 89A

¥8.9212 

阶梯数 价格
210: ¥8.9212
400: ¥7.5603
800: ¥6.9361
0 当前型号
AOB288L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 80V 20V 46A 93.5W 8.9mΩ@10V

¥6.0816 

阶梯数 价格
1: ¥6.0816
100: ¥4.3824
400: ¥3.7722
800: ¥2.98
800 对比
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A

暂无价格 0 对比
IRFS4410 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100V 96A(Tc) ±20V 250W(Tc) 10mΩ@58A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB80N03S4L-03 Infineon 功率MOSFET

IPB80N03S4L03ATMA1_30V 80A 2mΩ 16V 136W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IRFS4410TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@58A,10V N-Channel 100V 96A D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 0 对比

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