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PSMN9R5-100BS,118  与  IPB123N10N3GATMA1  区别

型号 PSMN9R5-100BS,118 IPB123N10N3GATMA1
唯样编号 A-PSMN9R5-100BS,118 A-IPB123N10N3GATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 94W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 211W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2500pF @ 50V
输出电容 302pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 89A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 46uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 10V
输入电容 4454pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 12.3 毫欧 @ 46A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 58A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 9.6mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥8.9212
400+ :  ¥7.5603
800+ :  ¥6.9361
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN9R5-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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¥8.9212 

阶梯数 价格
210: ¥8.9212
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0 当前型号
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¥6.0816 

阶梯数 价格
1: ¥6.0816
100: ¥4.3824
400: ¥3.7722
800: ¥2.98
800 对比
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¥23.8471 

阶梯数 价格
1: ¥23.8471
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