PSMN9R5-100BS,118 与 AOB288L 区别
| 型号 | PSMN9R5-100BS,118 | AOB288L | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN9R5-100BS,118 | A-AOB288L | ||||||||||
| 制造商 | Nexperia | AOS | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Crss(pF) | - | 14 | ||||||||||
| Td(off)(ns) | - | 21.5 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 211W | 93.5W | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 80V | ||||||||||
| Qrr(nC) | - | 162 | ||||||||||
| VGS(th) | - | 3.4 | ||||||||||
| Qgd(nC) | - | 4 | ||||||||||
| 输出电容 | 302pF | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | 3V | 20V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| Td(on)(ns) | - | 11.5 | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT404 | TO-263 | ||||||||||
| 工作温度 | 175°C | - | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 89A | 46A | ||||||||||
| Ciss(pF) | - | 1871 | ||||||||||
| 输入电容 | 4454pF | - | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 9.6mΩ@10V | 8.9mΩ@20A,10V | ||||||||||
| Trr(ns) | - | 32 | ||||||||||
| Coss(pF) | - | 265 | ||||||||||
| Qg*(nC) | - | 26.5 | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 700 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN9R5-100BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 9.6mΩ@10V 211W 175°C 3V 100V 89A |
￥12.3337
|
0 | 当前型号 | ||||||||||
|
AOB288L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 80V 20V 46A 93.5W 8.9mΩ@20A,10V |
￥6.0816
|
700 | 对比 | ||||||||||
|
STB120NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
IRFS4410PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@58A,10V N-Channel 100V 96A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
IRFS4410TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@58A,10V N-Channel 100V 96A D²PAK(TO-263AB) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
IPB123N10N3 G | Infineon | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 100V 58A 10.7mΩ 20V 94W N-Channel PG-TO263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
