PSMN8R7-80PS,127 与 IRFB4410ZGPBF 区别
| 型号 | PSMN8R7-80PS,127 | IRFB4410ZGPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN8R7-80PS,127 | A-IRFB4410ZGPBF |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 90A TO220AB | Single N-Channel 100 V 230 W 120 nC Through Hole Hexfet Power MOSFET - TO-220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 9mΩ@58A,10V |
| 漏源极电压Vds | 80V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 170W | 230W(Tc) |
| 输出电容 | 296pF | - |
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT78 | TO-220AB |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 90A | 97A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 150µA |
| 输入电容 | 3346pF | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4820pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 120nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 8.7mΩ@10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 150µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4820pF @ 50V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 120nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN8R7-80PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 170W 175°C 3V 80V 90A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AOTF288L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 80V 20V 43A 33.5W 9.2mΩ@10V |
￥8.3673
|
1,000 | 对比 | ||||||||||
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AOT288L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 80V 20V 46A 93.5W 9.2mΩ@10V |
￥7.1429
|
1,000 | 对比 | ||||||||||
|
IRFB4410ZGPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@58A,10V N-Channel 100V 97A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
IPP086N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 80A 8.2mΩ 20V 125W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AOT418L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 100V 25V 105A 333W 10mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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