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PSMN8R5-60YS,115  与  BSC067N06LS3GATMA1  区别

型号 PSMN8R5-60YS,115 BSC067N06LS3GATMA1
唯样编号 A-PSMN8R5-60YS,115 A-BSC067N06LS3GATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK56 MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),69W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 106W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5100pF @ 30V
输出电容 307pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT669 8-PowerTDFN
工作温度 175℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 76A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 35uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 67nC @ 10V
输入电容 2370pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 6.7 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 15A(Ta),50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 8mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
360+ :  ¥4.3724
1,000+ :  ¥3.5839
1,500+ :  ¥3.1164
暂无价格
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