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PSMN8R3-40YS,115  与  BSC093N04LSGATMA1  区别

型号 PSMN8R3-40YS,115 BSC093N04LSGATMA1
唯样编号 A-PSMN8R3-40YS,115 A-BSC093N04LSGATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56 MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),35W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 74W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1900pF @ 20V
输出电容 270pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT669 8-PowerTDFN
工作温度 175℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 70A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 14uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 24nC @ 10V
输入电容 1215pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 9.3 毫欧 @ 40A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 13A(Ta),49A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 8.6mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 40V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
380+ :  ¥2.7898
750+ :  ¥2.2867
1,500+ :  ¥2.0979
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN8R3-40YS,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN8R3-40YS_SOT669 N-Channel 74W 175℃ 3V 40V 70A

¥2.7898 

阶梯数 价格
380: ¥2.7898
750: ¥2.2867
1,500: ¥2.0979
0 当前型号
BSC093N04LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC093N04LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

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