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PSMN8R0-40BS,118  与  IRF4104SPBF  区别

型号 PSMN8R0-40BS,118 IRF4104SPBF
唯样编号 A-PSMN8R0-40BS,118 A-IRF4104SPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK Single N-Channel 75 V 200 W 150 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.5mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 86W 140W(Tc)
输出电容 327pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 77A 120A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 1262pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 100nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 7.6mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3000pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 100nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥5.226
400+ :  ¥4.4288
800+ :  ¥4.0631
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN8R0-40BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN8R0-40BS_SOT404 N-Channel 86W 175℃ 3V 40V 77A

¥5.226 

阶梯数 价格
210: ¥5.226
400: ¥4.4288
800: ¥4.0631
0 当前型号
IRF4104SPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.5mΩ@75A,10V N-Channel 40V 120A D2PAK

暂无价格 0 对比
AUIRF4104S Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 120A 1.4mΩ 20V 140W N-Channel TO-252-3 40V 车规

暂无价格 0 对比
IPB70N04S4-06 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB70N04S406ATMA1_40V 70A 5.3mΩ 20V 58W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPB70N04S406ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB70N04S4-06_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRF4104S Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40V 75A(Tc) ±20V 140W(Tc) 5.5mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比

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