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PSMN7R6-60BS,118  与  SPB80N06S08ATMA1  区别

型号 PSMN7R6-60BS,118 SPB80N06S08ATMA1
唯样编号 A-PSMN7R6-60BS,118 A-SPB80N06S08ATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 300W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 149W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3660pF @ 25V
输出电容 342pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 92A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 240uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 187nC @ 10V
输入电容 2651pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 7.7 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 7.8mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 55V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥6.7363
400+ :  ¥5.7087
800+ :  ¥5.2373
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN7R6-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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