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PSMN7R6-60BS,118  与  IRL3705NSTRLPBF  区别

型号 PSMN7R6-60BS,118 IRL3705NSTRLPBF
唯样编号 A-PSMN7R6-60BS,118 A-IRL3705NSTRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK Single N-Channel 55 V 170 W 98 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 10mΩ@46A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 149W 3.8W(Ta),170W(Tc)
输出电容 342pF -
栅极电压Vgs 3V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 92A 89A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
输入电容 2651pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3600pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 98nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 7.8mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3600pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 98nC @ 5V
库存与单价
库存 0 800
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税)
210+ :  ¥6.7363
400+ :  ¥5.7087
800+ :  ¥5.2373
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN7R6-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R6-60BS_SOT404 N-Channel 149W 175℃ 3V 60V 92A

¥6.7363 

阶梯数 价格
210: ¥6.7363
400: ¥5.7087
800: ¥5.2373
0 当前型号
IRL3705NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.8W(Ta),170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@46A,10V N-Channel 55V 89A D2PAK

暂无价格 800 对比
NTB60N06T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

D²PAK

暂无价格 564 对比
RJ1L08CGNTLL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

80A(Ta) N-Channel 2.5V@50uA 96W(Ta) TO-263-3 150℃(TJ) 60V

¥13.1184 

阶梯数 价格
20: ¥13.1184
50: ¥8.5763
100: ¥8.0109
490 对比
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

暂无价格 0 对比
IRL3705ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@52A,10V N-Channel 55V 86A D2PAK

暂无价格 0 对比

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