PSMN7R6-60BS,118 与 IRF1010NSTRRPBF 区别
| 型号 | PSMN7R6-60BS,118 | IRF1010NSTRRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN7R6-60BS,118 | A-IRF1010NSTRRPBF |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 11mΩ@43A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 55V |
| Pd-功率耗散(Max) | 149W | 180W(Tc) |
| 输出电容 | 342pF | - |
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT404 | D2PAK |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 92A | 85A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 输入电容 | 2651pF | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3210pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 120nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 7.8mΩ@10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3210pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 120nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PSMN7R6-60BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 149W 175°C 3V 60V 92A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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NTB60N06T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
D²PAK |
暂无价格 | 564 | 对比 | ||||||||||
|
RJ1L08CGNTLL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
80A(Ta) N-Channel 2.5V@50uA 96W(Ta) TO-263-3 150°C(TJ) 60V |
￥14.8815
|
490 | 对比 | ||||||||||
|
IRF1010NSTRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@43A,10V N-Channel 55V 85A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
AUIRFZ48ZSTRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
55V 44A 11mΩ 20V 91W N-Channel -55°C~175°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
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IRL3705NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.8W(Ta),170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@46A,10V N-Channel 55V 89A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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