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PSMN7R6-60BS,118  与  IPB77N06S212ATMA1  区别

型号 PSMN7R6-60BS,118 IPB77N06S212ATMA1
唯样编号 A-PSMN7R6-60BS,118 A-IPB77N06S212ATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 158W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 149W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1770pF @ 25V
输出电容 342pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 92A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 93uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
输入电容 2651pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 11.7 毫欧 @ 38A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 77A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 7.8mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 55V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥6.7363
400+ :  ¥5.7087
800+ :  ¥5.2373
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN7R6-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R6-60BS_SOT404 N-Channel 149W 175℃ 3V 60V 92A

¥6.7363 

阶梯数 价格
210: ¥6.7363
400: ¥5.7087
800: ¥5.2373
0 当前型号
IRL3705NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.8W(Ta),170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@46A,10V N-Channel 55V 89A D2PAK

暂无价格 800 对比
NTB60N06T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

D²PAK

暂无价格 564 对比
RJ1L08CGNTLL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

80A(Ta) N-Channel 2.5V@50uA 96W(Ta) TO-263-3 150℃(TJ) 60V

¥13.1184 

阶梯数 价格
20: ¥13.1184
50: ¥8.5763
100: ¥8.0109
490 对比
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

暂无价格 0 对比
IRL3705ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@52A,10V N-Channel 55V 86A D2PAK

暂无价格 0 对比

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