PSMN7R0-100BS,118 与 IRFS4310ZTRLPBF 区别
| 型号 | PSMN7R0-100BS,118 | IRFS4310ZTRLPBF | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN7R0-100BS,118 | A-IRFS4310ZTRLPBF | ||||||||
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | PSMN7R0 Series 100 V 100 A 6.8 mOhm N-Channel Standard Level Mosfet - D2PAK-3 | Single N-Channel 100 V 250 W 120 nC Surface Mount Hexfet Power Mosfet - TO-263-3 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 269W | 250W(Tc) | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||
| 输出电容 | 438pF | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-263-2 | D2PAK | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 100A | 127A | ||||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 150µA | ||||||||
| 输入电容 | 6686pF | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 6860pF @ 50V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 170nC @ 10V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 6.8mΩ@15A,10V | 6mΩ@75A,10V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 150µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 6860pF @ 50V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 170nC @ 10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 145 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN7R0-100BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263-2 N-Channel 6.8mΩ@15A,10V 269W -55°C~175°C ±20V 100V 100A |
￥31.6001
|
145 | 当前型号 | ||||||||||||||||
|
RJ1P12BBDTLL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
120A(Tc) N-Channel 4V@2.5mA 178W(Tc) TO-263-3 150°C(TJ) 100V |
￥28.7377
|
800 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
RJ1P12BBDTLL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
120A(Tc) N-Channel 4V@2.5mA 178W(Tc) TO-263-3 150°C(TJ) 100V |
￥28.7377
|
23 | 对比 | ||||||||||||||||
|
IRFS4310ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@75A,10V N-Channel 100V 127A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
|
IPB083N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 80A 8.3mΩ@73A,10V ±20V 125W N-Channel -55°C~175°C TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
|
IRFS4310ZTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@75A,10V N-Channel 100V 127A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
