首页 > 商品目录 > > > > PSMN6R5-80PS,127代替型号比较

PSMN6R5-80PS,127  与  STP110N8F6  区别

型号 PSMN6R5-80PS,127 STP110N8F6
唯样编号 A-PSMN6R5-80PS,127 A-STP110N8F6
制造商 Nexperia STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.5mΩ@55A,10V
漏源极电压Vds 80V 80V
Pd-功率耗散(Max) 210W 200W(Tc)
输出电容 410pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT78 TO-220
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 110A
系列 - STripFET™ F6
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 250µA
输入电容 4461pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9130pF @ 40V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 150nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 6.9mΩ@10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥10.7086
50+ :  ¥8.7775
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN6R5-80PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN6R5-80PS_SOT78 N-Channel 210W 175℃ 3V 80V 100A

¥10.7086 

阶梯数 价格
20: ¥10.7086
50: ¥8.7775
0 当前型号
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A

暂无价格 12,000 对比
AOB286L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 80V ±20V 70A 167W 5.7mΩ@20A,10V -55°C~175°C

¥7.7551 

阶梯数 价格
1: ¥7.7551
100: ¥5.5882
400: ¥4.8101
800: ¥3.8
623 对比
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A

¥4.18 

阶梯数 价格
20: ¥4.18
100: ¥3.344
117 对比
IPP037N08N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP037N08N3 G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售