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PSMN6R5-80PS,127  与  IPP037N08N3GXKSA1  区别

型号 PSMN6R5-80PS,127 IPP037N08N3GXKSA1
唯样编号 A-PSMN6R5-80PS,127 A-IPP037N08N3GXKSA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 214W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 80V -
Pd-功率耗散(Max) 210W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 8110pF @ 40V
输出电容 410pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT78 TO-220-3
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 155uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 117nC @ 10V
输入电容 4461pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.75 毫欧 @ 100A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 6.9mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 80V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥10.7086
50+ :  ¥8.7775
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN6R5-80PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN6R5-80PS_SOT78 N-Channel 210W 175℃ 3V 80V 100A

¥10.7086 

阶梯数 价格
20: ¥10.7086
50: ¥8.7775
0 当前型号
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A

暂无价格 12,000 对比
AOB286L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 80V ±20V 70A 167W 5.7mΩ@20A,10V -55°C~175°C

¥7.7551 

阶梯数 价格
1: ¥7.7551
100: ¥5.5882
400: ¥4.8101
800: ¥3.8
623 对比
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A

¥4.18 

阶梯数 价格
20: ¥4.18
100: ¥3.344
117 对比
IPP037N08N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP037N08N3 G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A

暂无价格 0 对比

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