PSMN6R5-80BS,118 与 RJ1P12BBDTLL 区别
| 型号 | PSMN6R5-80BS,118 | RJ1P12BBDTLL | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN6R5-80BS,118 | A33-RJ1P12BBDTLL | ||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 漏源极电压Vds | 80V | 100V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 210W | 178W(Tc) | ||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 5.8mOhms@50A,10V | ||||
| 输出电容 | 410pF | - | ||||
| 栅极电压Vgs | 3V | 4V@2.5mA | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT404 | TO-263-3 | ||||
| 工作温度 | 175°C | 150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 100A | 120A(Tc) | ||||
| 输入电容 | 4461pF | - | ||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||
| 栅极电荷Qg | - | 80nC@10V | ||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 6.9mΩ@10V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 23 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN6R5-80BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 210W 175°C 3V 80V 100A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
|
RJ1P12BBDTLL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
120A(Tc) N-Channel 4V@2.5mA 178W(Tc) TO-263-3 150°C(TJ) 100V |
￥47.0688
|
800 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
RJ1P12BBDTLL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
120A(Tc) N-Channel 4V@2.5mA 178W(Tc) TO-263-3 150°C(TJ) 100V |
￥47.0688
|
23 | 对比 | ||||||||||||||||
|
IRFS4310TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7mΩ@75A,10V N-Channel 100V 130A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
|
IPB065N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
6.5mΩ 100V 80A D2PAK (TO-263) N-Channel 2V,3.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
|
AUIRFS4310TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 44A 7mΩ 20V 300W N-Channel TO-263-3 100V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
