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PSMN6R5-80BS,118  与  RJ1P12BBDTLL  区别

型号 PSMN6R5-80BS,118 RJ1P12BBDTLL
唯样编号 A-PSMN6R5-80BS,118 A33-RJ1P12BBDTLL-0
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
漏源极电压Vds 80V 100V
Pd-功率耗散(Max) 210W 178W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 5.8mOhms@50A,10V
输出电容 410pF -
栅极电压Vgs 3V 4V@2.5mA
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 TO-263-3
工作温度 175℃ 150℃(TJ)
连续漏极电流Id 100A 120A(Tc)
输入电容 4461pF -
Vgs(最大值) - ±20V
栅极电荷Qg - 80nC@10V
Rds On(max)@Id,Vgs 6.9mΩ@10V -
库存与单价
库存 0 900
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税)
210+ :  ¥8.853
400+ :  ¥7.5025
800+ :  ¥6.883
3+ :  ¥73.2671
10+ :  ¥40.294
50+ :  ¥36.2694
100+ :  ¥28.7856
500+ :  ¥25.9013
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN6R5-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN6R5-80BS_SOT404

¥8.853 

阶梯数 价格
210: ¥8.853
400: ¥7.5025
800: ¥6.883
0 当前型号
RJ1P12BBDTLL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥73.2671 

阶梯数 价格
3: ¥73.2671
10: ¥40.294
50: ¥36.2694
100: ¥28.7856
500: ¥25.9013
900 对比
IRFS4310TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥18.399 

阶梯数 价格
1: ¥18.399
25: ¥17.6913
34 对比
RJ1P12BBDTLL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥73.2671 

阶梯数 价格
3: ¥73.2671
10: ¥40.294
23 对比
IPB80N08S2L07ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N08S2L-07_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
AUIRFS4310TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

10mm TO-263-3

暂无价格 0 对比

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