首页 > 商品目录 > > > > PSMN6R5-80BS,118代替型号比较

PSMN6R5-80BS,118  与  IRFS4310TRLPBF  区别

型号 PSMN6R5-80BS,118 IRFS4310TRLPBF
唯样编号 A-PSMN6R5-80BS,118 A-IRFS4310TRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK Single N-Channel 100 V 300 W 170 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 80V 100V
Pd-功率耗散(Max) 210W 300W(Tc)
输出电容 410pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 130A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 4461pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7670pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 250nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 6.9mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7670pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 250nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN6R5-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 210W 175°C 3V 80V 100A

暂无价格 0 当前型号
RJ1P12BBDTLL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

120A(Tc) N-Channel 4V@2.5mA 178W(Tc) TO-263-3 150°C(TJ) 100V

¥47.0688 

阶梯数 价格
4: ¥47.0688
10: ¥25.4126
30: ¥21.1292
50: ¥20.2668
100: ¥19.6248
300: ¥19.1936
500: ¥19.1074
800 对比
RJ1P12BBDTLL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

120A(Tc) N-Channel 4V@2.5mA 178W(Tc) TO-263-3 150°C(TJ) 100V

¥47.0688 

阶梯数 价格
4: ¥47.0688
10: ¥25.4126
23 对比
IRFS4310TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7mΩ@75A,10V N-Channel 100V 130A D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB065N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

6.5mΩ 100V 80A D2PAK (TO-263) N-Channel 2V,3.5V

暂无价格 0 对比
AUIRFS4310TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 44A 7mΩ 20V 300W N-Channel TO-263-3 100V 车规

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售