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PSMN6R5-80BS,118  与  IRF1407STRRPBF  区别

型号 PSMN6R5-80BS,118 IRF1407STRRPBF
唯样编号 A-PSMN6R5-80BS,118 A-IRF1407STRRPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 3.8W(Ta),200W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 80V -
Pd-功率耗散(Max) 210W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5600pF @ 25V
输出电容 410pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 250nC @ 10V
输入电容 4461pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 7.8 毫欧 @ 78A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 6.9mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 75V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥8.853
400+ :  ¥7.5025
800+ :  ¥6.883
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN6R5-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN6R5-80BS_SOT404 N-Channel 210W 175℃ 3V 80V 100A

¥8.853 

阶梯数 价格
210: ¥8.853
400: ¥7.5025
800: ¥6.883
0 当前型号
RJ1P12BBDTLL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

120A(Tc) N-Channel 4V@2.5mA 178W(Tc) TO-263-3 150℃(TJ) 100V

¥45.2386 

阶梯数 价格
4: ¥45.2386
10: ¥22.4037
50: ¥18.6187
100: ¥17.8616
500: ¥17.2963
800 对比
RJ1P12BBDTLL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

120A(Tc) N-Channel 4V@2.5mA 178W(Tc) TO-263-3 150℃(TJ) 100V

¥45.2386 

阶梯数 价格
4: ¥45.2386
10: ¥22.4037
23 对比
IRF1407STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPB80N08S2L07ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N08S2L-07_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPB100N08S207ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB100N08S2-07_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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