PSMN6R5-80BS,118 与 AUIRFS4310TRL 区别
| 型号 | PSMN6R5-80BS,118 | AUIRFS4310TRL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN6R5-80BS,118 | A-AUIRFS4310TRL |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 9.25mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 7mΩ |
| 上升时间 | - | 110ns |
| 产品特性 | - | 车规 |
| 栅极电压Vgs | 3V | 20V |
| 封装/外壳 | SOT404 | TO-263-3 |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 100A | 44A |
| 配置 | - | Single |
| 输入电容 | 4461pF | - |
| 长度 | - | 10mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 下降时间 | - | 78ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 7670pF @ 50V |
| 高度 | - | 4.4mm |
| 漏源极电压Vds | 80V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 210W | 300W |
| 输出电容 | 410pF | - |
| 典型关闭延迟时间 | - | 68ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 6.9mΩ@10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 26ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 250nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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PSMN6R5-80BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 210W 175°C 3V 80V 100A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RJ1P12BBDTLL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
120A(Tc) N-Channel 4V@2.5mA 178W(Tc) TO-263-3 150°C(TJ) 100V |
￥47.0688
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800 | 对比 | ||||||||||||||||
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RJ1P12BBDTLL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
120A(Tc) N-Channel 4V@2.5mA 178W(Tc) TO-263-3 150°C(TJ) 100V |
￥47.0688
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23 | 对比 | ||||||||||||||||
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IRFS4310TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7mΩ@75A,10V N-Channel 100V 130A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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IPB065N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
6.5mΩ 100V 80A D2PAK (TO-263) N-Channel 2V,3.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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AUIRFS4310TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 44A 7mΩ 20V 300W N-Channel TO-263-3 100V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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