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PSMN5R0-80PS,127  与  IRFB4410ZPBF  区别

型号 PSMN5R0-80PS,127 IRFB4410ZPBF
唯样编号 A-PSMN5R0-80PS,127 A-IRFB4410ZPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB N-Channel 100 V 9 mO 83 nC Flange Mount Hexfet Power Mosfet - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9mΩ@58A,10V
漏源极电压Vds 80V 100V
Pd-功率耗散(Max) 270W 230W(Tc)
输出电容 913pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 97A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
输入电容 6793pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4820pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 4.7mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4820pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
库存与单价
库存 0 30
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税)
20+ :  ¥13.3875
50+ :  ¥10.9734
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN5R0-80PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN5R0-80PS_SOT78

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