首页 > 商品目录 > > > > PSMN5R0-80BS,118代替型号比较

PSMN5R0-80BS,118  与  IRFS3307TRLPBF  区别

型号 PSMN5R0-80BS,118 IRFS3307TRLPBF
唯样编号 A-PSMN5R0-80BS,118 A-IRFS3307TRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK Single N-Channel 75 V 200 W 120nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.3mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 80V 75V
Pd-功率耗散(Max) 270W 200W(Tc)
输出电容 913pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 130A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
输入电容 6793pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5150pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 180nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 5.1mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5150pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 180nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥11.1895
400+ :  ¥9.4826
800+ :  ¥8.6996
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN5R0-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN5R0-80BS_SOT404

¥11.1895 

阶梯数 价格
210: ¥11.1895
400: ¥9.4826
800: ¥8.6996
0 当前型号
IRFS3307TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS3307 Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
AOB480L AOS 功率MOSFET

TO-263(D?Pak)

暂无价格 0 对比
IPB054N08N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB054N08N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IPB100N08S2-07 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB100N08S207ATMA1_10mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售