PSMN5R0-40MSHX 与 SIS184DN-T1-GE3 区别
| 型号 | PSMN5R0-40MSHX | SIS184DN-T1-GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN5R0-40MSHX | A3t-SIS184DN-T1-GE3 | ||
| 制造商 | Nexperia | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | PSMN5R0-40MSH/SOT1210/mLFPAK | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | - | 3.7W(Ta),52W(Tc) | ||
| 功率耗散(最大值) | 83W(Ta) | - | ||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2010 pF @ 20 V | - | ||
| Vgs(th) | - | 3.4V @ 250uA | ||
| FET类型 | N 通道 | N-Channel | ||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 29 nC @ 10 V | - | ||
| 封装/外壳 | SOT1210 | PowerPAK® 1212-8S | ||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~150°C | ||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3.6V @ 1mA | - | ||
| 连续漏极电流Id | - | 17.4A(Ta),65.3A(Tc) | ||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 5 毫欧 @ 20A,10V | - | ||
| Vgs(最大值) | ±20V | ±20V | ||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - | ||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 85A(Ta) | - | ||
| 漏源电压(Vdss) | 40 V | - | ||
| 导通电阻Rds(On) | - | 5.8 mOhms @ 10A,10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN5R0-40MSHX | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) N 通道 SOT1210 |
￥4.9267
|
0 | 当前型号 | ||||
|
SIS184DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
17.4A(Ta),65.3A(Tc) N-Channel 5.8 mOhms @ 10A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8S -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
SIS184DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
17.4A(Ta),65.3A(Tc) N-Channel 5.8 mOhms @ 10A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8S -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
