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PSMN4R8-100PSEQ  与  IRFB4110GPBF  区别

型号 PSMN4R8-100PSEQ IRFB4110GPBF
唯样编号 A-PSMN4R8-100PSEQ A-IRFB4110GPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB 100V, 4.5MOHM, 120A, TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.5mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 405W 370W(Tc)
输出电容 674pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 180A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 10665pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9620pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 210nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 5mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9620pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 210nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥22.3021
50+ :  ¥18.2804
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN4R8-100PSEQ Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R8-100PSE_SOT78 N-Channel 405W 175℃ 3V 100V 120A

¥22.3021 

阶梯数 价格
20: ¥22.3021
50: ¥18.2804
0 当前型号
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TO-220 N-Channel 80V ±20V 105A 250W 4.5mΩ@20A,10V -55°C~175°C

¥11.4286 

阶梯数 价格
1: ¥11.4286
100: ¥8.2353
500: ¥7.0886
1,000: ¥5.6
196 对比
IRFB4110GPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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4.5mΩ 100V TO-220 N-Channel 20V 180A

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