PSMN4R8-100BSEJ 与 AUIRLS4030-7TRL 区别
| 型号 | PSMN4R8-100BSEJ | AUIRLS4030-7TRL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN4R8-100BSEJ | A-AUIRLS4030-7TRL |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 3.9mΩ@110A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | 405W | 370W(Tc) |
| 输出电容 | 674pF | - |
| 栅极电压Vgs | 3V | ±16V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT404 | D2PAK7P |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 120A | 190A(Tc) |
| 输入电容 | 10665pF | - |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 4.5V,10V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 4.8mΩ@10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 11490pF @ 50V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 140nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 30 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN4R8-100BSEJ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 405W 175°C 3V 100V 120A |
暂无价格 | 30 | 当前型号 |
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IRLS4030PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.3mΩ@110A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AUIRLS4030-7TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100V 190A(Tc) ±16V 370W(Tc) 3.9mΩ@110A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK7P 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |