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PSMN4R6-60PS,127  与  IRFZ44VPBF  区别

型号 PSMN4R6-60PS,127 IRFZ44VPBF
唯样编号 A-PSMN4R6-60PS,127 A-IRFZ44VPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB Single N-Channel 60 V 115 W 67 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 16.5mΩ
Qg-栅极电荷 - 44.7nC
栅极电压Vgs 3V 20V
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 55A
配置 - Single
输入电容 4426pF -
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1812pF @ 25V
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 211W 115W
输出电容 567pF -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1812pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 67nC @ 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 4.6mΩ@10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 67nC @ 10V
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税)
20+ :  ¥11.1096
50+ :  ¥9.1062
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN4R6-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R6-60PS_SOT78

¥11.1096 

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IRFB3306PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

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阶梯数 价格
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IRF1010EPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥11.8343 

阶梯数 价格
20: ¥11.8343
50: ¥7.1198
100: ¥6.5257
500: ¥6.1328
1,000: ¥6.0561
1,000 对比
IRFZ44VPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

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