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PSMN4R6-60PS,127  与  IRF1010EPBF  区别

型号 PSMN4R6-60PS,127 IRF1010EPBF
唯样编号 A-PSMN4R6-60PS,127 A-IRF1010EPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB Single N-Channel 60 V 200 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 12mΩ@50A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 211W 200W(Tc)
输出电容 567pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 84A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 4426pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3210pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 4.6mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3210pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税)
20+ :  ¥11.1096
50+ :  ¥9.1062
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN4R6-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R6-60PS_SOT78 N-Channel 211W 175℃ 3V 60V 100A

¥11.1096 

阶梯数 价格
20: ¥11.1096
50: ¥9.1062
0 当前型号
STP55NF06 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 60,000 对比
STP60NF06 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥4.587 

阶梯数 价格
20: ¥4.587
100: ¥3.663
1,000: ¥3.52
3,991 对比
IRF1010EPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12mΩ@50A,10V N-Channel 60V 84A TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
IRFB4410ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@58A,10V N-Channel 100V 97A TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
IRFZ44VPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 60V 55A 16.5mΩ 20V 115W N-Channel

暂无价格 1,000 对比

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