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PSMN4R5-40BS,118  与  IRLR8103VPBF  区别

型号 PSMN4R5-40BS,118 IRLR8103VPBF
唯样编号 A-PSMN4R5-40BS,118 A-IRLR8103VPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds 40V 30V
Pd-功率耗散(Max) 148W 115W(Tc)
输出电容 660pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 DPAK
工作温度 175℃ -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 91A(Tc)
输入电容 2683pF -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 4.5mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2672pF @ 16V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥6.7395
400+ :  ¥5.7114
800+ :  ¥5.2398
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN4R5-40BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R5-40BS_SOT404

¥6.7395 

阶梯数 价格
210: ¥6.7395
400: ¥5.7114
800: ¥5.2398
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